•降低功率損耗, 降低分離式電源開關元器件內建的阻抗以達到節能效果, 節能減碳已是未來各種產業的發展重點
•GTM採用遮蔽式閘極技術(Shield Gate Technology)所製作的Power MOSFET元件, 能同時滿足更低內阻以及更快速切換的特性, 將會是未來市場上佔有率成長最快的產品
•New Shield Gate MOSFET產品首先將推出下列規格, 請跟業務連絡以取得更多相關訊息!!
•BV: 30V N-CH, Id: 100A, Rdson: 1.4mΩ, PKG:DFN5x6, DFN3x3
•BV: 100V N-CH, Id: 13A, Rdson: 6.6mΩ, PKG: SOP-8, DFN5x6(80A)
•BV: 100V N-CH, Id: 120A, Rdson: 3.6mΩ, PKG: TO-220
MOSFET List
目前沒有產品介紹
1
Total 0 , Page 1 / 1